氮化硅有何特点？等离子表面处理设备是如何刻蚀氮化硅的？
文章导读：氮化硅，即Si3N4，是目前较为热门的新材料之一，其具有密度小、硬度大、弹性模量高、热稳定性好等特色，在诸多范畴都有运用。在晶圆制作中，氮化硅是能够代替氧化硅使用的。
氮化硅（Si3N4）的材料特点：氮化硅是当前较为热门的新材料之一，具有密度小、硬度大、弹性模量高、热稳定性好等特点，在诸多范畴都有使用。在晶圆制作中，氮化硅可代替氧化硅使用，因其硬度高，可在晶圆外表形成十分薄的氮化硅薄膜（在硅片加工中，使用zui为广泛的描绘薄膜厚度的单位是埃），厚度约在数十埃，保护外表，防止划伤，此外其杰出的绝缘强度和抗氧化才能也能够很好地达到阻隔的作用。氮化硅的流动性不如氧化物，因此较为难以刻蚀，采用等离子外表处理设备的刻蚀工艺可以克服刻蚀上的难点。
等离子体刻蚀是通过化学作用或者物理作用，又或者是物理和化学的共同作用来完成的。反应过程是通过反应腔室内的气体通过辉光放电，从而形成包含离子、电子及游离基等活性物质的等离子体，因其具有扩散性，会吸附到介质的表面，从而与介质表面原子发生化学反应，形成挥发性物质。与此同时，高能离子会在一定压力下对介质表面进行物理轰击以及刻蚀，来去除再沉积的反应产品和聚合物。经过化学和物理的共同作用来完成对介质层的刻蚀。
等离子体刻蚀在晶圆制作工艺中是非常重要的一种，也是微电子IC制作工艺以及微纳制作工艺中的一种相当重要的步骤，一般是在光刻胶涂布以及光刻显影之后，通过将光刻胶作为掩膜，等离子体经过物理溅射和化学作用来将我们并不需要的金属去除，光刻胶在这过程中就相当于反应的保护膜，其意图是为了构成与光刻胶图形相同的线路图形。的刻蚀工艺是目前主流的干式刻蚀，因其具有较好的刻蚀速率以及良好的方向性，现在已逐步代替传统的湿法刻蚀。
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