等离子刻蚀中影响氮化硅侧壁蚀刻倾斜度的参数有哪些？
文章导读：在晶圆制造领域，使用等离子刻蚀不仅可以“吃掉”上层的光刻胶，也可以“吃掉”氮化硅薄膜， 形成一定的侧壁蚀刻倾斜度。
等离子表面处理系统能够完成表面清洗、活化、刻蚀以及涂镀等诸多功能，依据所需处理的材料与处理的目的，等离子表面处理系统能够完成不同的处理效果。等离子表面处理设备在半导体方向的使用有等离子刻蚀、显影、去胶、封装等。
等离子刻蚀工艺在半导体集成电路中，既能够刻蚀上表层的光刻胶，也能够刻蚀基层的氮化硅层，不仅如此还需要防止其对硅衬底造成刻蚀损害，从而造成器件暗电流增大，影响产品良率，为达到这诸多条件的工艺要求。等离子刻蚀工艺能够通过对真空等离子表面处理设备的部分参数调整，形成一些氮化硅层的特殊形貌，即侧壁蚀刻倾斜度。
侧壁蚀刻倾斜度的优势在于，当具有一定程度的倾斜度时，可以有效降低金属镀膜层在阶梯覆盖时出现断裂的几率，以及改善集成电路中工艺金属线路内部断裂的问题。如下所示是氮化硅侧壁垂直和具有一定程度的倾斜度的示意图：
通过多次的变量测试和实验，我们可以通过真空度、等离子发生器的功率、CF4流量、O2流量、气体流量比、腔内压强以及处理时间等不同变量的研究，能够找到一个适合的氮化硅层侧壁刻蚀倾角。
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